LED灯EMI滤波电路用贴片电容

作者:中湃科技    发布于2014-01-22 08:56    来源:未知
LED(Light Emitting Diode),中文名称为发光二极管,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。在优质LED灯的驱动电源EMI电路中,主要用到 以下一种元器件。
功能模块 外观 产品名称 备注 品牌
EMI滤波电路 通用型系列片容 直流中高压片容 0.1kV~5kV, 0.1pF~10uF,0603(1608)~3035(7690) FH(风华)
功率型厚膜片式固定电阻 绕线型贴片共模滤波器 CMC系列:0805~1206规格,67Ω~2200Ω
三端EMI滤波电容 三端EMI滤波电容 5121或5081规格
铁氧体芯绕线贴片电感器 铁氧体芯绕线贴片电感器 FHW-HF/IF系列
直流中高压片容 高精度薄膜电阻 NSRE系列,0402~2512,精度千分之或百分之一 NSCN(南山)、FH(风华)

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以下为收集自互联网的关于LED驱动电源EMI整改方案,未经我公司技术部门研究确认,仅供参考:


一、1MHZ以内----以差模干扰为主

1.增大X电容量; 2.添加差模电感; 3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

二、1MHZ---5MHZ---差模共模混合

采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决, 1.对于差模干扰超标可调整X电容量添加差模电感器,调差模电感量; 2.对于共模干扰超标可添加共模电感选用合理的电感量来抑制; 3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。 5M--10M---以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。 对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

 

三、20--30MHZ,

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置; 2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值; 3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。 4.改变PCBLAYOUT; 5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感; 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数; 7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE; 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。 9.可以用增大MOS驱动电阻.

 

四、30---50MHZ---普遍是MOS管高速开通关断引起

1.可以用增大MOS驱动电阻; 2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管; 3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决; 4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感; 5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路; 6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE; 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容; 8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小; 9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

 

五、50---100MHZ---普遍是输出整流管反向恢复电流引起

1.可以在整流管上串磁珠; 2.调整输出整流管的吸收电路参数; 3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻; 4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。 5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射. 200MHZ---300MHZ---开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准

 

补充说明:

开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的以上未加缀述. 开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点. 开关电源若有机械外壳外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.

开关管主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异对EMC有一定的影响.请密切注意此点.

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